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电子元器件详细资料 » IC[27681] » SI7938DP-T1-GE3
型号:SI7938DP-T1-GE3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? SO-8 双描述:MOSFET 2N-CH 40V 60A 8SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET 2N-CH 40V 60A 8SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)40V
电流_连续漏极(Id)0a025000C60A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C5.8 毫欧 @ 18.5A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs65nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds2300pF @ 20V
功率_最大46W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? SO-8 双
供应商设备封装PowerPAK? SO-8 Dual
包装Digi-Reel®

供应商

辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
深圳市鑫晟源电子科技有限公司赖0755-83538837
深圳市科恒伟业电子有限公司李小姐086-0755-82569753-32922817-36561078-801
深圳市芯福林电子科技有限公司张女士0755-82574045
深圳市川蓝电子科技有限公司彭小姐0755-82522939
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SI7938DP-T1-GE3相关型号

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